快,全因的速度

速度更快/续航持久/高度兼容

每颗闪存颗粒从原料挑选到制作完成,都需经过多个检测环节反复测试,及格后才可出厂,以确保闪存颗粒的一致性、稳定性及安全性。

内置高速缓存 性能大幅度提升

为配合计算机的高速读写运算,有效同时处理各种演算应用,天璇系列内置了128M DDR3高速缓存,进一步提高了SSD的高效稳定性。

选用原厂MLC类型颗粒

响应时间快至50微秒,擦写次数高达10000次

性能更高、速度更快、寿命更长

响应时间更短/寿命更长

    MLC TLC
寿命 擦写次数 5,000次擦写寿命* 500~1000次擦写寿命*
读取时间 50微秒* 75微秒*
性能 处理时间 600~900微秒* 900~1350微秒*
擦写时间 3微秒* 4.5微秒*

SMI高效主控,快人不止一步

天璇系列采用存储业界专业主控厂商SMI的主控,拥有特殊的固件编程,能够充分发挥主控和闪存芯片的性能,带来更快的读写性能。

4通道同时读取/带宽速度大幅度提高/功耗大幅度降低

中关村实测

实测读取速度525.6MB/s ,写入速度311.9MB/s

27道工序处理 出众的科技质感

采用TSMC 55纳米的制造工艺,科技质感十足。同时经过27道工序处理,

使SSD具备更好的散热能力,有效减小信号传输延迟。

更薄更轻/高度适配/高端工艺

天璇T产品参数

基本参数

  • 尺寸:100 x69.85 x6.9毫米 @ 2.5英寸
  • 容量:128GB
  • 平均无故障时间 MTBF(最大):1,000,000小时
  • 接口:SATA
  • 闪存类型:MLC 同步 NAND Flash

工作参数

  • 工作温度:0℃~70℃
  • 储存温度:-55℃~90℃
  • 保修政策:三年包换
  • 抗冲击力(非工作状态):1500G@0.5ms,half sine wave
  • 抗冲击力(工作状态):50G@11ms,half sine wave